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晶体管
DMP3099LQ-7参考图片

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DMP3099LQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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库存:6,070(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.59212
592.12
3,000
¥0.46104
1383.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.08 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
3.6 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
9 mg
商品其它信息
优势价格,DMP3099LQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
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双极晶体管 - 预偏置 500 MA RET
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:7647
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥82.603
10:¥74.3088
25:¥67.6983
50:¥63.0879
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晶体管
达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.5763
参考库存:10628
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
参考库存:6404
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