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晶体管
STW19NM50N参考图片

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STW19NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A
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库存:4,799(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.6516
37.6516
10
¥33.5836
335.836
100
¥27.7415
2774.15
250
¥25.4363
6359.075
500
¥23.2102
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
2 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW19NM50N
晶体管类型
N-Channel
类型
MDmesh II Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW19NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
参考库存:1792
晶体管
MOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm
1:¥6.6896
10:¥5.5144
100:¥3.5708
1,000:¥2.8476
1,500:¥2.4069
参考库存:2548
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:19070
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
4,000:¥0.49155
参考库存:5521
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
2,500:¥2.3052
参考库存:4696
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