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晶体管
DMT10H015LFG-13参考图片

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DMT10H015LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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3,000
¥3.4578
10373.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.0572
500:¥12.2944
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:6960
SMBT 2907A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:45707
2N6486
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Pwr
1:¥16.5997
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:1729
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥20.905
10:¥17.3681
100:¥13.447
500:¥11.752
1,000:¥9.7632
3,000:¥9.0626
参考库存:7271
D45H2A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
参考库存:1397
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