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晶体管
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ALD1103SBL

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-14
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
40 mA, 16 mA
Rds On-漏源导通电阻
50 Ohms, 180 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD1103S
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
338 mg
商品其它信息
优势价格,ALD1103SBL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 160V
1:¥3.5369
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:3843
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS4350T/TO-236AB/REEL 11" Q3
1:¥2.7685
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
10,000:¥0.68365
20,000:查看
参考库存:22108
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥37.3465
10:¥31.7304
100:¥27.5042
250:¥26.1256
参考库存:1998
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:22113
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
3,000:¥4.746
参考库存:22116
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