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晶体管
2SC5948-O(Q)参考图片

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2SC5948-O(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 200V 12A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
12 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5948
高度
19 mm
长度
15.9 mm
宽度
4.8 mm
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
200000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,2SC5948-O(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 55Vcbo 30Vceo 3.5Vebo 0.4A 5.0W
1:¥41.4936
10:¥37.0414
100:¥33.7305
250:¥30.4309
参考库存:2511
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:4463
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:2500
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:3932
晶体管
MOSFET MOSFET - 80V LFPAK - Lead Free
1:¥22.3627
10:¥20.2044
25:¥18.0574
100:¥16.2155
2,500:¥9.6841
5,000:查看
参考库存:2894
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