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晶体管
CGHV35150F参考图片

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CGHV35150F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
-
长度
-
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV35150-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV35150F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX415
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥88.6711
10:¥81.5295
25:¥78.1508
100:¥68.8509
参考库存:5362
FDMC86184
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥13.447
10:¥11.3678
100:¥9.1417
500:¥7.9891
3,000:¥6.1811
6,000:查看
参考库存:3433
2N6315
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
5:¥366.9901
10:¥362.843
25:¥335.5648
参考库存:1623
2N5151
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥238.8142
5:¥228.0566
10:¥220.9941
25:¥203.0158
参考库存:1647
STB6N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:1562
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