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晶体管
CGHV50200F参考图片

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CGHV50200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
17 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
4402015
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV50200F-AMP
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
40
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.4 V
商品其它信息
优势价格,CGHV50200F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1471
250:¥4.1471
500:¥3.6612
参考库存:3670
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:2383
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:32028
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A IGBT
1:¥627.0144
5:¥607.6462
10:¥587.826
25:¥568.2318
50:¥560.4687
参考库存:1389
晶体管
MOSFET N-Ch 640V 5A 0.88Ohm typ. Mdmesh II
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
2,500:¥6.9269
5,000:查看
参考库存:1927
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