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晶体管
ALD110900PAL参考图片

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ALD110900PAL

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库存:1,593(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥32.7361
327.361
25
¥29.4252
735.63
50
¥28.6568
1432.84
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
12 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms, 500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
20 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD110900P
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,ALD110900PAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-723 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
32,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:34268
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:34792
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500 45V
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:159361
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:3544
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:2515
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