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晶体管
STI45N10F7参考图片

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STI45N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V 0013 Ohm 45 A Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.2943
5147.15
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STI45N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格，STI45N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH52N10LF3-2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 15 mOhm typ., 52 A STripFET F3 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
1,000:¥6.6896
2,000:¥6.2263
5,000:¥6.0003
10,000:¥5.763
参考库存:32490
SQD23N06-31L_T4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥2.8363
5,000:¥2.7007
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5086
参考库存:32493
SI3973DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:32496
2731GN-200M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:32499
SIHP6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:32502
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