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晶体管
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BSS126 H6906

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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7855
37.855
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.9549
1954.9
3,000
¥1.9549
5864.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS126
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 mS
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
BSS126H6906XTSA1 BSS126H696XT SP000705716
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS126 H6906的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRG4BC30S-S
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:3318
BDX54BG
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power PNP
1:¥6.9156
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9606
参考库存:4422
PSMN038-100YLX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 37.5 mo FET
1:¥4.9946
10:¥4.1019
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.9323
参考库存:5297
2N4858
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:3275
2N1482
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SS Power
1:¥23.278
10:¥20.8259
100:¥18.984
250:¥17.1308
参考库存:3246
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