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晶体管
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BSS126 H6906

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库存：4,532(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7855
37.855
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.9549
1954.9
3,000
¥1.9549
5864.7
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS126
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 mS
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
BSS126H6906XTSA1 BSS126H696XT SP000705716
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS126 H6906的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIS472DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:6469
IRFZ10PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
参考库存:2658
STGW40NC60KD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:2678
APT20GT60BRDQ1G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥55.709
10:¥50.1042
25:¥45.6407
100:¥41.1885
参考库存:2536
IRL3103PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
参考库存:4088
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