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晶体管
SIA527DJ-T1-GE3参考图片

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SIA527DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
3,000
¥1.4238
4271.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms, 41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S, 12 S
下降时间
10 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 32 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 22 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，SIA527DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HCT2222A
Optek / TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN G.P. Transistor
100:¥232.5201
250:¥223.5253
参考库存:29615
IPP055N03LGHKSA1
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500:¥4.2827
1,000:¥3.39
2,500:¥3.0058
10,000:¥2.8928
参考库存:29618
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暂无价格
参考库存:29626
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