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晶体管
SIA527DJ-T1-GE3参考图片

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SIA527DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
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库存:2,671(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms, 41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S, 12 S
下降时间
10 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 32 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 22 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SIA527DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥15.368
250:¥14.5996
参考库存:2987
晶体管
MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:5076
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.4071
500:¥5.6613
1,000:¥4.4748
参考库存:3055
晶体管
MOSFET 30V P-Ch PowerTrench
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.2826
1,000:¥1.7628
4,000:¥1.5029
参考库存:9395
晶体管
MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:2476
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