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晶体管
TSM60NB900CH C5G参考图片

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TSM60NB900CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
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数量单价合计
15,000
¥3.4465
51697.5
24,375
¥3.3674
82080.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
9.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36.4 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TSM60NB900CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6P47NU,LF
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1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
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