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晶体管
TSM10NC65CF C0G参考图片

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TSM10NC65CF C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 650V, 10A, 0.9 Single N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
4,000
¥4.8138
19255.2
5,000
¥4.5765
22882.5
10,000
¥4.4748
44748
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.700 g
商品其它信息
优势价格,TSM10NC65CF C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF
1:¥7.5258
10:¥6.1585
100:¥5.1302
500:¥3.955
3,000:¥3.1753
9,000:查看
参考库存:5449
晶体管
MOSFET 50V 0.3Ohm
1:¥9.7632
10:¥9.605
25:¥8.0682
100:¥7.3563
参考库存:4780
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 2A/50V
1:¥5.8421
10:¥4.8477
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.1131
参考库存:7855
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:6455
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:4252
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