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晶体管
SIHD180N60E-GE3参考图片

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SIHD180N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.5996
3649.9
2,000
¥10.5316
21063.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
195 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6.5 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SIHD180N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF360N65S3R0L
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8817
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A2T23H160-24SR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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DMS935E20R
Panasonic
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Vishay Semiconductors
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24:¥635.0826
48:¥613.8725
72:¥605.4201
120:¥571.6105
参考库存:29252
DMP1022UWS-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
3,000:¥2.147
9,000:¥2.0679
24,000:¥1.9775
45,000:¥1.9549
参考库存:29255
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