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APTGT100H60TG

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¥671.4234
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT100H60TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet
15,000:¥4.3844
参考库存:27396
PH3135-20M
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,350.3839
25:¥1,301.7487
参考库存:27399
2N5322
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
1:¥22.5096
10:¥20.1366
100:¥18.3625
250:¥16.5206
参考库存:1908
IPB60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
1,000:¥5.4692
参考库存:27404
PTFB092707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥848.0085
参考库存:27407
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