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晶体管
DMN2022UFDF-13参考图片

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DMN2022UFDF-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
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数量单价合计
10,000
¥1.00683
10068.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-F-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.9 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.03 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
系列
DMN2022
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
239 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
632 ns
典型接通延迟时间
56 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2022UFDF-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
1:¥490.1601
5:¥479.1765
10:¥460.4298
25:¥445.5929
参考库存:2528
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:10697
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 PNP GP AMP
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:18030
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥8.0682
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:3182
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.616
10:¥2.034
100:¥1.08367
500:¥0.90626
3,000:¥0.50737
9,000:查看
参考库存:5526
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