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晶体管
A3G20S250-01SR3参考图片

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A3G20S250-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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数量单价合计
1
¥725.8329
725.8329
5
¥702.3967
3511.9835
10
¥688.3282
6883.282
25
¥644.9927
16124.8175
100
¥622.7882
62278.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
250 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18.2 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G20S250
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935377832118
商品其它信息
优势价格,A3G20S250-01SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:64510
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.8616
10:¥51.4037
25:¥49.0194
100:¥42.5671
3,000:¥31.0411
参考库存:6842
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
1:¥34.804
10:¥31.1202
25:¥27.9675
50:¥27.2782
参考库存:3997
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 9A
1:¥11.9102
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
1,000:¥5.4805
4,000:¥5.4805
参考库存:25691
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:5177
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