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晶体管
TSM60N750CH参考图片

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TSM60N750CH

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
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数量单价合计
5,625
¥4.8138
27077.625
11,250
¥4.7121
53011.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
17.3 ns
零件号别名
C5G TSM60N750CH
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM60N750CH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
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晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5088
500:¥5.7517
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晶体管
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1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,500:¥4.5313
9,000:查看
参考库存:6995
晶体管
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:4191
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
1,500:¥1.9888
参考库存:11665
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