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晶体管
TSM900N10CH X0G参考图片

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TSM900N10CH X0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
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库存:30,060(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥1.6611
24916.5
24,375
¥1.6272
39663
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
5.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM900N10CH X0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 300mW 2mW
569:¥11.9102
1,000:¥9.831
2,500:¥8.8366
10,000:¥8.4524
参考库存:17481
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:17484
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:17487
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3390
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 232A 1.5MO
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
1,500:¥13.2888
4,500:查看
参考库存:4792
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