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晶体管
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PTRA097008NB-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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数量单价合计
250
¥1,018.13
254532.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
600 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
增益
19 dB
输出功率
630 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
PG-HB2SOF-6-1
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.65 V
商品其它信息
优势价格，PTRA097008NB-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM4NB60CI C0
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V N channl Mosfet
4,000:¥2.825
5,000:¥2.6329
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5312
参考库存:28465
STP4NK60ZFP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0512
参考库存:4135
D3S070N65F-U
D3
晶体管
MOSFET 70 mOhm 650V
1,000:¥16.6788
2,500:¥15.8313
5,000:¥15.2098
参考库存:28470
ZTX857
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
4,000:¥4.0906
参考库存:28473
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥665.2084
参考库存:28476
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