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晶体管

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QPD1020SR

  • Qorvo
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
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数量单价合计
100
¥480.5551
48055.51
200
¥451.7401
90348.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
50 V
增益
18.4 dB
输出功率
31 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1020SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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10:¥8.3733
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500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
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1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:6653
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