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晶体管
FGB20N60SFD-F085参考图片

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FGB20N60SFD-F085

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库存:3,239(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
800
¥9.9101
7928.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB20N60S_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB20N60SFD_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB20N60SFD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.1473
3,000:¥8.1473
参考库存:5175
晶体管
MOSFET 600V NCH MOSFET
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
参考库存:4027
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
2,500:¥2.3052
参考库存:6900
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:21149
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
4,000:¥3.4578
参考库存:5913
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