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晶体管
FGB20N60SFD-F085参考图片

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FGB20N60SFD-F085

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库存:3,239(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
800
¥9.9101
7928.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB20N60S_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB20N60SFD_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB20N60SFD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 60V 15A TO-252 (DPAK)
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
2,500:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:5672
晶体管
MOSFET PMN30UN/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *S
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.88366
参考库存:9291
晶体管
MOSFET 60V N ch MOSFET
1:¥32.1146
10:¥28.815
100:¥23.5944
250:¥22.1254
参考库存:4991
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
8,000:¥0.36838
24,000:查看
参考库存:11861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN DIGITAL TRANSIST
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.32318
24,000:查看
参考库存:19867
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