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晶体管
HGTD7N60C3S9A参考图片

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HGTD7N60C3S9A

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库存:29,254(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥6.3958
15989.5
5,000
¥6.1585
30792.5
10,000
¥5.9212
59212
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252AA-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTD7N60C3S
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
2.3 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTD7N60C3S9A_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,HGTD7N60C3S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.8024
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4803
9,000:¥1.13
参考库存:4954
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
1:¥21.9785
10:¥17.6732
100:¥16.1364
250:¥14.5205
参考库存:3056
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:5355
晶体管
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.763
10:¥4.9946
100:¥3.8872
500:¥2.9154
1,000:¥2.3504
3,000:¥2.0792
参考库存:79979
晶体管
MOSFET SM CSP SNGL N-CH MOSFET 0.8x0.8x0.1mm
1:¥4.6104
10:¥3.3335
100:¥2.1018
500:¥1.695
1,000:¥1.6159
参考库存:3854
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