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晶体管

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VS-GT300YH120N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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库存:29,179(价格仅供参考)
数量单价合计
12
¥1,336.79
16041.48
36
¥1,318.1111
47451.9996
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.17 V
在25 C的连续集电极电流
341 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.042 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GT300YH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7122
500:¥5.9325
1,000:¥4.6782
5,000:¥4.6782
参考库存:11732
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 100mA PNP General Purpose Tran
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.72207
1,000:¥0.5537
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:11745
晶体管
MOSFET 40V 295A 1.8mOhm Automotive MOSFET
1:¥34.4198
10:¥29.2783
100:¥25.3572
250:¥24.0464
参考库存:1872
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
1:¥3.4578
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:6608
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:2202
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