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晶体管
APTGTQ200A65T3G参考图片

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APTGTQ200A65T3G

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100
¥609.183
60918.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
480 nA
Pd-功率耗散
483 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGTQ200A65T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMPFJ175 TR
Central Semiconductor
晶体管
JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold
6,000:¥1.6837
12,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
48,000:¥1.5368
参考库存:30932
NTMFD4952NFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.2999
参考库存:30935
SIHF22N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥37.8098
10:¥31.3462
100:¥25.8205
250:¥24.973
参考库存:30938
PXAD184218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:30941
APTGLQ30H65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥337.3276
250:¥330.2538
参考库存:30944
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