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FF450R12KE4

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数量单价合计
1
¥1,217.3716
1217.3716
5
¥1,188.1046
5940.523
10
¥1,158.589
11585.89
25
¥1,142.3848
28559.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
520 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12KE4HOSA1 SP000370610
单位重量
337 g
商品其它信息
优势价格，FF450R12KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD10P6F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
1:¥6.9156
10:¥5.7969
100:¥3.729
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.5312
参考库存:6802
BSS138N H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:227561
SI4420BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 13.5A 0.0085Ohm
1:¥7.2998
2,500:¥7.2998
参考库存:6090
RE1C001UNTCL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:8271
FS30R06VE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥159.9063
5:¥158.2113
10:¥147.4537
25:¥140.8432
参考库存:1971
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