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APTGT75SK120TG

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数量单价合计
100
¥449.3558
44935.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
110 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
357 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT75SK120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
20,000:¥0.36838
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1:¥7.2207
10:¥5.9212
100:¥4.5426
500:¥3.8985
5,000:¥2.7346
10,000:查看
参考库存:29945
晶体管
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4,000:¥5.0624
6,000:¥4.8138
10,000:¥4.7008
参考库存:29948
晶体管
MOSFET MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V
暂无价格
参考库存:29951
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥124.4017
10:¥114.4125
25:¥109.6552
100:¥96.5924
250:¥91.8238
参考库存:29954
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