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晶体管
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PTFC262157FH-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥945.6744
47283.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
200 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288G-4/2
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFC262157FH-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTTFS4965NFTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,500:¥8.8366
4,500:查看
参考库存:4475
APT28F60S
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥74.1506
10:¥66.6926
25:¥60.7827
50:¥56.6356
参考库存:17177
APT4016BVFRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥215.0729
5:¥206.6205
10:¥198.8574
25:¥182.721
参考库存:17180
BSZ028N04LS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9438
500:¥5.2432
5,000:¥3.6725
10,000:查看
参考库存:7983
TDTA143E,LM
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V 4.7KOhm / 4.7KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:17185
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