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晶体管
QPD1011SR参考图片

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QPD1011SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN
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库存:32,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥345.78
345.78
25
¥307.36
7684
100
¥268.94
26894
200
¥245.888
49177.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
1.46 A
输出功率
8.7 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMD-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 MHz to 1200 MHz
系列
QPD1011
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
QPD1011EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
QPD1011
商品其它信息
优势价格,QPD1011SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:15752
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
758:¥8.9157
1,000:¥7.3563
2,500:¥6.5992
10,000:¥6.3393
参考库存:15755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.2543
100:¥0.52206
1,000:¥0.3616
参考库存:10358
晶体管
MOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
暂无价格
参考库存:15760
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W
1:¥3.0736
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.03734
参考库存:3563
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