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晶体管
EM6M1T2R参考图片

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EM6M1T2R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
8,000
¥1.04525
8362
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
100 mA, 200 mA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
EM6M1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
零件号别名
EM6M1
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，EM6M1T2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6217
参考库存:5421
DMN95H8D5HCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:4932
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:11268
APT50GP60JDQ2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥249.8091
5:¥238.5882
10:¥231.1302
25:¥212.3835
参考库存:43293
BF 2040 E6814
Infineon Technologies
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:22718
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