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FD1200R17KE3-K

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库存：27,552(价格仅供参考)
数量单价合计
2
¥6,948.9463
13897.8926
6
¥6,837.8334
41027.0004
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
在25 C的连续集电极电流
1600 A
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FD1200R17KE3KNOSA1 SP000100596
单位重量
1.5 kg
商品其它信息
优势价格，FD1200R17KE3-K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD910020SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:37248
JANTX2N4234
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥371.6796
250:¥346.9326
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JFET JFET
100:¥519.5966
参考库存:37257
JAN2N5152
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥183.1052
10:¥166.5168
25:¥153.9851
50:¥145.6909
参考库存:37260
RN2310(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:37263
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