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晶体管
A3T21H450W23SR6参考图片

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A3T21H450W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:30,777(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,035.3399
1035.3399
5
¥1,014.9773
5074.8865
10
¥967.6416
9676.416
25
¥947.3581
23683.9525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.4 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935352756128
单位重量
6.033 g
商品其它信息
优势价格,A3T21H450W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
1:¥3.5369
10:¥3.503
25:¥3.0058
100:¥2.6894
3,000:¥2.6894
参考库存:7555
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
1:¥1.2317
10:¥1.13
100:¥0.40002
1,000:¥0.26894
3,000:¥0.20792
参考库存:370675
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1189
800:¥4.0454
参考库存:7905
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:7326
晶体管
MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:206835
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