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晶体管
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TGF2080

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
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数量单价合计
100
¥74.8399
7483.99
300
¥69.9244
20977.32
500
¥65.3931
32696.55
1,000
¥61.0878
61087.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11.5 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
259 mA
最大漏极/栅极电压
- 12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
12 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
309 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
29.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098414
商品其它信息
优势价格，TGF2080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN63D8L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
1:¥1.695
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:29238
STF18N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4623
IRFR4615TRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:45518
ULN2803ADW
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Darlington Transistr Array
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:13751
CSD88539ND
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:32336
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