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晶体管
STGIB10CH60TS-E参考图片

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STGIB10CH60TS-E

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库存:28,940(价格仅供参考)
数量单价合计
156
¥84.4449
13173.4044
312
¥80.2978
25052.9136
624
¥75.0772
46848.1728
1,092
¥68.93
75271.56
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
66 W
封装 / 箱体
SDIP2B-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
STGIB10CH60TS
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
156
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGIB10CH60TS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:9361
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:7045
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.6105
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
参考库存:6974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENRL TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.05994
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
10,000:¥0.1695
20,000:查看
参考库存:25286
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 300mW -50Vceo
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:7366
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  • 价格优势
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