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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3F-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA114TEB
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
输出电压	-
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA114TEB

商品其它信息

优势价格，DTA114TEBTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIS472DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8	1:¥6.3054 10:¥5.4918 100:¥4.2262 500:¥3.1301 3,000:¥2.2035 6,000:查看	参考库存:6469
IRFZ10PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET	1:¥12.0684 10:¥9.9892 100:¥7.6275 500:¥6.5653	参考库存:2658
STGW40NC60KD	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT	1:¥32.4988 10:¥27.6624 100:¥23.9786 250:¥22.7469	参考库存:2678
APT20GT60BRDQ1G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi	1:¥55.709 10:¥50.1042 25:¥45.6407 100:¥41.1885	参考库存:2536
IRL3103PBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB	1:¥8.9157 10:¥7.6727 100:¥5.8986 500:¥5.198	参考库存:4088