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晶体管
2SB1216T-TL-H参考图片

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2SB1216T-TL-H

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 4A 100V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
系列
2SB1216
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
700
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，2SB1216T-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.3732
10,000:¥6.1359
参考库存:27643
PTVA035002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,586.3553
参考库存:27646
NVMFS5C450NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
参考库存:27649
PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:27652
APTGT300A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
参考库存:27655
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