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晶体管

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FP20R06KL4

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数量单价合计
1
¥400.7206
400.7206
5
¥391.8049
1959.0245
10
¥373.8266
3738.266
25
¥358.1535
8953.8375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
78 W
封装 / 箱体
EasyPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
55.9 mm
宽度
45.6 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FP20R06KL4BOMA1 SP000100273
商品其它信息
优势价格,FP20R06KL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥29.6625
10:¥25.199
100:¥21.8203
250:¥20.7468
3,000:¥14.9047
6,000:查看
参考库存:9663
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 HV XSTR PNP 300V
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:7443
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥860.608
2:¥833.8722
5:¥833.6349
10:¥806.7409
参考库存:1480
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
2,500:¥1.01474
参考库存:2813
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥151.8381
5:¥145.9169
10:¥140.3912
25:¥129.0121
参考库存:1499
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