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晶体管
SH8M11TB1参考图片

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SH8M11TB1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
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库存：43,386(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
2,500
¥1.8758
4689.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.9 nC, 4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
3 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
4 ns, 9 ns
商品其它信息
优势价格，SH8M11TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF9910TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1189
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
4,000:¥3.5708
参考库存:7936
BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:24712
IKW25N120T2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3624
RCJ200N20TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET
1:¥17.6732
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
1,000:¥8.7575
参考库存:3582
FDMS0308AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2826
参考库存:5092
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