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晶体管

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VS-GB100TS60NPBF

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 108 Amp 600 Volt Half-Bridge
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库存:42,917(价格仅供参考)
数量单价合计
15
¥692.5544
10388.316
30
¥669.4346
20083.038
60
¥660.2816
39616.896
105
¥623.3306
65449.713
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
108 A
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
高度
30 mm
长度
94 mm
宽度
35 mm
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
商标名
HEXFRED
零件号别名
GB100TS60NPBF
单位重量
200 g
商品其它信息
优势价格,VS-GB100TS60NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50/100mA/4.7K 47K
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:50827
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.4577
参考库存:6204
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Si PNP Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.03734
参考库存:8153
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
1:¥5.1528
10:¥4.5765
25:¥4.1358
100:¥3.616
3,000:¥1.9662
6,000:查看
参考库存:9006
晶体管
MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.893
参考库存:4418
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