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晶体管
ZXT12N50DXTC参考图片

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ZXT12N50DXTC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN
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库存:28,702(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥5.1867
20746.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MSOP-8
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
135 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
132 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT12
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
0.95 mm
长度
3.1 mm
封装
Reel
宽度
3.1 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
870 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格,ZXT12N50DXTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.04525
参考库存:7198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low VCE(sat) Transistor
1:¥3.7629
10:¥2.3843
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
8,000:¥0.52997
24,000:查看
参考库存:8374
晶体管
MOSFET BUK7M45-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
1,500:¥1.11418
参考库存:3760
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:9293
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
2,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:15377
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