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晶体管
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FSAM30SH60A

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
250 uA
Pd-功率耗散
62 W
封装 / 箱体
SPM32-AA
系列
FSAM30SH60A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
安装风格
SMD/SMT
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
48
子类别
IGBTs
单位重量
32.580 g
商品其它信息
优势价格,FSAM30SH60A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.3053
10:¥3.2657
100:¥2.4182
500:¥1.9888
3,000:¥1.4012
6,000:查看
参考库存:10706
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:28104
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:17715
晶体管
JFET N-Ch amplifier Lo Freq/Lo Noise
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99101
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:34499
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRNSTR
1:¥2.9945
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:8987
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