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晶体管

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BSM50GD120DN2

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数量单价合计
1
¥1,067.2285
1067.2285
5
¥1,046.2557
5231.2785
10
¥997.4623
9974.623
25
¥976.5573
24413.9325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
72 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD120DN2BOSA1 SP000100359
商品其它信息
优势价格,BSM50GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,500:¥8.8366
4,500:查看
参考库存:4475
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥74.1506
10:¥66.6926
25:¥60.7827
50:¥56.6356
参考库存:17177
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥215.0729
5:¥206.6205
10:¥198.8574
25:¥182.721
参考库存:17180
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9438
500:¥5.2432
5,000:¥3.6725
10,000:查看
参考库存:7983
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V 4.7KOhm / 4.7KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:17185
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