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晶体管

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BSM50GD120DN2

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数量单价合计
1
¥1,067.2285
1067.2285
5
¥1,046.2557
5231.2785
10
¥997.4623
9974.623
25
¥976.5573
24413.9325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
72 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD120DN2BOSA1 SP000100359
商品其它信息
优势价格,BSM50GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:9143
晶体管
MOSFET N Ch 55V 3.2 120A Pwr MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
参考库存:2990
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:13581
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
1:¥15.7522
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:2025
晶体管
MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,500:¥4.3957
9,000:查看
参考库存:2651
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