您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BSM50GD120DN2

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:1,854(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,067.2285
1067.2285
5
¥1,046.2557
5231.2785
10
¥997.4623
9974.623
25
¥976.5573
24413.9325
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
72 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD120DN2BOSA1 SP000100359
商品其它信息
优势价格,BSM50GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.1363
500:¥12.3735
2,500:¥9.5259
5,000:查看
参考库存:15601
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150mW 100mA
3,000:¥1.00683
参考库存:15604
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥119.5653
5:¥114.8758
10:¥110.5705
25:¥101.587
参考库存:15607
晶体管
JFET N-Ch -20Vgss -0.35V 10mA 300mW 1.8mW
72:¥99.0445
100:¥91.1345
250:¥83.0663
500:¥77.6875
参考库存:15610
晶体管
MOSFET 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss
10,000:¥0.43053
20,000:¥0.4068
参考库存:15613
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们