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晶体管
TK49N65W,S1F(S参考图片

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TK49N65W,S1F(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
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库存:19,997(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥88.0609
88.0609
10
¥79.2243
792.243
25
¥72.2296
1805.74
100
¥65.1558
6515.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
TK49N65W
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
270 ns
典型接通延迟时间
130 ns
商品其它信息
优势价格,TK49N65W,S1F(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET DOUBLE
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:14111
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:4420
晶体管
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
1:¥86.219
10:¥80.6029
25:¥75.6083
50:¥65.54
参考库存:3941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A SO-89
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:4233
晶体管
MOSFET 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.3517
250:¥26.894
参考库存:4237
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