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晶体管
ZXTN2007ZTA参考图片

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ZXTN2007ZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat
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库存:7,105(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN2007
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
Pd-功率耗散
2100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTN2007ZTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥27.6624
10:¥22.4418
100:¥20.5208
500:¥17.063
1,000:¥14.5205
参考库存:4081
晶体管
MOSFET 400V N-Channel QFET
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.6274
参考库存:5196
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:2544
晶体管
MOSFET 30V 68A N-Channel
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:5391
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4523
参考库存:3946
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