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晶体管
PD85006TR-E参考图片

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PD85006TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
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数量单价合计
1
¥116.0284
116.0284
10
¥106.6494
1066.494
25
¥102.2763
2556.9075
100
¥90.061
9006.1
600
¥80.1396
48083.76
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85006-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
36.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85006TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:7162
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
1:¥26.668
100:¥25.5832
500:¥24.3628
参考库存:8325
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847CQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:12389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.03734
参考库存:7440
晶体管
MOSFET WL-CSP Dual Nch MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.6104
100:¥3.2318
500:¥2.9945
1,000:¥2.6103
参考库存:5677
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