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晶体管
IRFH7110TRPBF参考图片

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IRFH7110TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg
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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
4,000
¥6.1585
24634
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Qg-栅极电荷
58 nC
配置
Single
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001575620
单位重量
500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXFC192207FH-V3-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:32001
PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:32004
STI13NM60N
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1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
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SQJ840EP-T1_GE3
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1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
3,000:¥5.1641
参考库存:8682
PTVA101K02EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥4,926.3706
参考库存:32011
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