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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，DTA144EU3HZGT106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSM9933DCS	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual 20V P channel MOSFET	5,000:¥2.0001 10,000:¥1.9775 25,000:¥1.9323	参考库存:31094
IFN403	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET N-Channel Dual	62:¥115.5651 100:¥106.3443 250:¥96.9766 500:¥90.5921	参考库存:31097
AUIRLS3034TRL	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET	800:¥21.0519 2,400:¥20.0575	参考库存:31100
6MS30017E43W38169	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥251,518.0668	参考库存:31103
PTVA120501EA-V1-R250	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥640.4614	参考库存:31106