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晶体管
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FZ400R12KE3

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库存:5,265(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.915
19647.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
650 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KE3HOSA1 SP000100737
商品其它信息
优势价格,FZ400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:2809
晶体管
MOSFET 20V 1A Nch Power MOSFET
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
8,000:¥0.4068
24,000:查看
参考库存:14769
晶体管
达林顿晶体管 DARLINGTON TRNS ARRY
1:¥3.9211
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:5556
晶体管
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1:¥11.8311
10:¥9.4468
100:¥8.7575
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
参考库存:3171
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
1:¥6.4523
10:¥5.3223
100:¥3.4352
1,000:¥2.7459
参考库存:4018
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