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晶体管
TSM1N80CW RPG参考图片

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TSM1N80CW RPG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V N Channel Power Mosfet
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库存:9,576(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.6895
46.895
100
¥3.6273
362.73
500
¥2.6894
1344.7
2,500
¥1.8871
4717.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
18 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,TSM1N80CW RPG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5944
250:¥22.3627
500:¥20.0575
参考库存:2819
晶体管
MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.8312
10:¥11.4469
100:¥8.9157
500:¥7.7631
3,000:¥6.0229
6,000:查看
参考库存:7939
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
1:¥883.2758
5:¥865.9077
10:¥825.4876
25:¥808.1986
参考库存:1950
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥155.6801
10:¥141.5438
25:¥130.9331
50:¥123.7915
参考库存:34116
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
参考库存:2446
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