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晶体管
MRFE6VP5600HSR5参考图片

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MRFE6VP5600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
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数量单价合计
1
¥1,028.4243
1028.4243
5
¥1,008.4459
5042.2295
10
¥975.1787
9751.787
25
¥933.9111
23347.7775
50
¥921.0856
46054.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935319677178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.2091
100:¥0.42262
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:132052
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:11905
晶体管
MOSFET N-CH 40V 4.6 mOhm Standard MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.5427
参考库存:7667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:15485
晶体管
MOSFET 25V 14A N-Channel
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,500:¥1.08367
参考库存:9732
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